上海积塔半导体申请接触孔光刻工艺条件专利，明显改善光刻接触孔的边缘粗糙度

金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种接触孔光刻工艺条件设计方法及半导体结构”的专利，公开号CN119882359A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种接触孔光刻工艺条件设计方法及半导体结构，方法包括：获取待涂敷抗反射层的基底的前层薄膜参数，仿真选取待涂敷抗反射层和光阻的目标膜厚及目标曝光锚点；改变照明条件参数进行光刻工艺验证，选取光刻得到接触孔边缘粗糙度最小的目标曝光锚点作为选定曝光锚点，对应的照明条件参数为接触孔光刻工艺条件。本发明迭代优化光刻的照明条件参数，明显改善光刻接触孔的边缘粗糙度；同时迭代优化前通过工艺窗口设计条件筛选目标曝光锚点，使改善后的接触孔满足工艺窗口设计条件，适用于高精度要求的光刻工艺；另外通过提前得到不同工艺对应的接触孔最优光刻工艺条件，可对工艺变化带来的光刻条件变化做出快速应变。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1793次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1042条，此外企业还拥有行政许可191个。

本文源自：金融界

作者：情报员