南昌硅基半导体申请带静电保护功能的 LED 芯片专利，提高 LED 抗静电放电能力

金融界 2025 年 5 月 5 日消息，国家知识产权局信息显示，南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种带静电保护功能的 LED 芯片及其制备方法”的专利，公开号 CN119923033A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明提供一种带静电保护功能的 LED 芯片及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上生长外延层，所述外延层从下至上包括依次层叠的 N 型半导体层、活性层和 P 型半导体层；在外延层上刻蚀出通孔，暴露出 N 型半导体层；制备介质层、反射层、晶圆键合阻挡层和晶圆键合粘结层，将晶圆键合粘结层与基板上的晶圆键合粘结层共晶键合；去除衬底；肖特基电极保护光刻；制备去边层，并光刻外延层形成沟道；制备钝化层，制备肖特基电极；图形化钝化层和去边层，制备 N 面电极。本发明通过在 LED 芯片的焊盘下方设置肖特基二极管，在不牺牲光功率的前提下，提高 LED 的抗静电放电能力。

本文源自：金融界

作者：情报员