积塔半导体申请改善晶圆翘曲的方法专利，改善晶圆边缘的向上翘曲现象

金融界2025年5月10日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“改善晶圆翘曲的方法、半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN119943650A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本申请提供了一种改善晶圆翘曲的方法、半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供一晶圆，晶圆包括正面和相对于正面的背面；于晶圆的背面形成氧化层，并于氧化层远离晶圆的表面形成氮化层，氧化层和氮化层共同构成保护层；于保护层远离晶圆的表面形成应力调节层，应力调节层的热膨胀系数小于晶圆的热膨胀系数；于晶圆的正面生长外延层。该方法可以改善晶圆边缘的向上翘曲现象，有利于稳定晶圆的结构，避免残余应力对后续半导体工艺造成干扰。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1816次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1068条，此外企业还拥有行政许可191个。

本文源自：金融界

作者：情报员