拓荆创益申请晶圆托盘等专利，用于调整晶圆边缘等离子体密度

金融界2025年4月10日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“晶圆托盘、薄膜沉积设备及方法”的专利，公开号 CN 119786402 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供了晶圆托盘、薄膜沉积设备及方法。所述晶圆托盘包括托盘本体及边缘环。所述托盘本体的上表面的边缘设有多个第一定位部。各所述第一定位部中设有多个不同高度的第一阶梯。所述边缘环的下表面的边缘设有多个第二定位部。各所述第二定位部中设有多个不同高度的第二阶梯，用于配合所述第一定位部中的第一阶梯，将所述边缘环安装到所述托盘本体的上表面的不同高度处，并环绕放置于所述托盘本体的晶圆，以在后续的薄膜沉积工艺中调整所述晶圆边缘的等离子体密度。本发明可以通过将边缘环安装到托盘本体的上表面的不同高度处，用于自动调节边缘环与其环绕的晶圆之间的距离，以在后续的薄膜沉积工艺中调整所述晶圆边缘的等离子体密度。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币，实缴资本36168.02万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息274条，此外企业还拥有行政许可10个。

本文源自：金融界

作者：情报员