填补中国大陆先进芯片设计空白！3nm小米芯片要来了

► 文 观察者网 吕栋

近日，雷军宣布小米自研设计手机SoC芯片“玄戒O1”即将发布的消息，引发大量关注。就在刚刚，雷军微博透露了更多关于小米芯片的信息，这颗备受关注芯片的核心信息也揭开了面纱——3nm制程，追平了当前国际最先进设计水平，远超市场预期。此前，市场普遍猜测小米芯片为4nm水准。这颗芯片的问世，标志着小米成为苹果、三星、华为之后，全球第四个拥有自研设计SoC芯片能力的手机厂商，这也是中国大陆首次成功实现3nm芯片设计突破，填补了先进芯片的设计空白，是中国科技行业的里程碑事件。

值得指出的是，当前半导体行业的摩尔定律已经放缓，欧美巨头推动芯片微缩的脚步也逐步放慢，我们每前进一小步，差距就缩小一大步，这是中国芯片追赶的关键时刻。在追赶国际领先的过程中，芯片设计与制造一体两面，同等重要。

长久以来，公众对芯片的认知，普遍停留在芯片制造层面，台积电的纳米级制程工艺惊艳表现，常让人误以为芯片竞赛的胜负只取决于半导体制造。事实上，设计与制造是芯片产业最为重要的两道工序，翻开半导体产业发展史，芯片设计的难度并不亚于制造，没有英伟达设计的GPU版图，台积电不可能造出全球顶尖的AI芯片，没有高通的设计，三星同样无法造出高端手机SoC。这种设计和制造的协同，是中国半导体发展的重要启示。

要想追上世界先进水平，中国芯片必须两条腿走路，设计与制造齐头并进。芯片制造是超重资产行业，涉及产业链、供应链十分复杂，需要重点投入和协调，突围应该只是时间问题。同样重要的芯片设计，我们有大量像华为、小米这样的中国科技中坚投身其中，车规芯片、服务器芯片的设计已经实现5nm突破，这次小米在更为复杂的手机SoC领域实现3nm突破，一举追平全球最先进水平。