微玖光电申请解决横向刻蚀的Micro LED像素点及其制备方法专利，提升Micro LED的发光效率

金融界2025年4月8日消息，国家知识产权局信息显示，微玖（苏州）光电科技有限公司申请一项名为“一种解决横向刻蚀的Micro LED像素点及其制备方法”的专利，公开号CN 119767916 A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，一种解决横向刻蚀的Micro LED像素点及其制备方法，属于半导体器件及其加工工艺技术领域。本发明通过改变掩膜的制备方法，在刻蚀气体Cl2/BCl3的基础上增加了Ar2与N2两种气体，在调整最佳比例后，SiO2与AlGaInP的刻蚀选择比从5：1能达到15：1以上，并且刻蚀过程中不再产生横向刻蚀问题，得到了高选择比、侧壁光滑、无任何横向刻蚀的像素点。本发明解决了N GaAs重掺杂层和P型GaP层在刻蚀过程中存在的严重横向刻蚀问题，解决了由于存在横向刻蚀导致后续钝化层覆盖不连续的问题，可以有效地改善刻蚀侧壁、底部粗糙的问题，极高的增加了硬掩模的刻蚀选择比，进而提升Micro LED的发光效率。

天眼查资料显示，微玖（苏州）光电科技有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本266.666667万人民币。通过天眼查大数据分析，微玖（苏州）光电科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息5条。

本文源自：金融界

作者：情报员