重庆芯联微申请种判断刻蚀反应腔硅片位置的专利，监控硅片放置位置的准确性

金融界2025年4月10日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“种判断刻蚀反应腔硅片位置的方法”的专利，公开号 CN 119786371 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种判断刻蚀反应腔硅片位置的方法，包括：S01：将标准硅片放置在刻蚀设备上的标准位置；S02：使用标准硅片进行刻蚀；S03：检测标准硅片边缘的第一预定区域上多个第一采样点的刻蚀速率；S04：获得标准硅片的标准刻蚀率均匀度；S05：将待测硅片放置在刻蚀设备中；S06：使待测硅片进行刻蚀；S07：检测待测硅片边缘的第二预定区域上多个第二采样点的刻蚀速率；S08：获得待测硅片的实际刻蚀率均匀度；S09：根据实际刻蚀率均匀度与标准刻蚀率均匀度的对比结果判断待测硅片的偏移情况。该方法通过锁定待测硅片边缘的实际刻蚀率均匀度的变化，并将实际刻蚀率均匀度与标准刻蚀率均匀度进行比对，进而监控硅片放置位置的准确性。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币，实缴资本522000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目679次，专利信息75条，此外企业还拥有行政许可11个。

本文源自：金融界

作者：情报员